인피니언 CoolSiC MOSFET 토요타 신형 전기차 bZ4X에 전격 채택

글로벌 전력 반도체 시장의 선두 주자인 인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolSiC™ MOSFET(실리콘 카바이드 전력 MOSFET)이 토요타의 신규 전기 SUV 모델인 bZ4X에 채택되었다고 발표했다. 이번 협력은 차세대 모빌리티 시장에서 실리콘 카바이드 반도체의 중요성을 다시 한번 입증하는 계기가 될 전망이다.

인피니언의 CoolSiC™ 기술은 bZ4X의 핵심 부품인 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 컨버터에 적용된다. 기존 실리콘 기반 반도체 대비 낮은 에너지 손실과 높은 열저항, 고전압 특성을 지닌 SiC 소재를 활용함으로써 전기차의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 대폭 단축하는 데 기여할 것으로 기대된다.

차세대 모빌리티 핵심 기술로 떠오른 실리콘 카바이드

피터 셰퍼 인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장은 세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 자사의 CoolSiC™ 기술을 선택한 것에 대해 깊은 신뢰를 표했다. 그는 실리콘 카바이드가 전기차의 효율과 성능 향상에 필수적인 역할을 한다고 강조하며, 인피니언의 혁신 역량과 무결점 품질 관리가 전동화 시장의 수요에 효과적으로 대응하고 있음을 시사했다.

실리콘 카바이드는 가혹한 차량 운행 환경에서도 안정적인 전력 변환을 지원한다. 특히 열 전도율이 높아 냉각 시스템의 소형화가 가능하며, 이는 차량의 전체적인 무게 절감과 공간 활용도 향상으로 이어진다. 토요타는 이번 채택을 통해 자사 전기차 라인업의 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.

독자적 트렌치 게이트 구조 통한 전력 효율 최적화

인피니언의 CoolSiC™ MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 채택하여 온 저항(On-resistance)을 낮추고 칩 크기를 최적화했다. 이를 통해 전도 손실과 스위칭 손실을 동시에 감소시켜 자동차 전력 시스템 전반의 효율을 극대화한다. 고도화된 반도체 설계 기술이 실제 주행 성능 향상으로 직결되는 구조다.

또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 함으로써 구동 회로를 단순화했다. 이러한 설계 이점은 OBC와 DC/DC 컨버터의 고집적화와 높은 신뢰성을 지원하며, 완성차 업체가 더 안전하고 효율적인 전기차를 설계할 수 있는 기반을 제공한다.